彭练矛 |
彭练矛教授 所长 博士，美国亚利桑那州立大学，1988
物理电子学研究所所长
研究方向：
(1) 纳米电子及功能材料的合成；
(2) 基于纳米材料的高性能电子、光电子器件的制备，器件物理，纳米集成电路的实现和系统集成；
(3) 纳米器件在化学、生物传感及能源方面的应用。
邮箱：lmpeng@pku.edu.cn
科研经历：
国家重点基础研究发展计划（973）项目：纳电子运算器材料的表征与物性基础研究
2002年1月-2006年10月，首席科学家
国家重大科学研究计划“纳米研究”专项项目：基于一维纳米材料的新原理器件：纳米碳管为基的纳米器件
2006年11月-2010年8月，首席科学家
国家重大科学研究计划“纳米研究”专项项目：碳基无掺杂纳电子器件和集成电路
2011年1月-2015年8月，首席科学家
项目奖励
1994年获首届国家杰出青年科学基金资助
1998年获求是科技基金会“杰出青年学者奖”
2000年当选为英国物理学会的Fellow
2000年“亚纳米碳管的稳定性研究”被选为中国高校十大科技进展
2000年纳米碳管工作被中华人民共和国科学技术部选入“纳米研究取得最新成果”，评为2000年中国基础科学研究十大新闻第一条
2003年获中国科学院金属研究所颁发的“李熏讲座奖”。
2004年“电子显微学基础和纳米结构研究”获北京市科学技术一等奖。
2008年获2008年度中国“汤姆森路透卓越研究奖”
2008年获中国电子显微镜学会“钱临照奖”
2009年获“全国优秀博士学位论文指导教师”
2010年“定量电子显微学方法与氧化钛纳米结构研究”获国家自然科学二等奖
论文专著
1．High-energy Electron Diffraction and Microscopy, by L.-M. Peng, S.L.Dudarev and M.J. Whelan (Oxford University Press, 2004)
2. High performance two-terminal carbon nanotube light emitting diodes,by S. Wang, Q.S. Zeng, L.J. Yang, Z.Y. Zhang, Z.X. Wang, T. Pei, L. Ding, X.L. Liang, M. Gao, Y. Li and L.-M. Peng, Nano Letters 11 (2011) 23(highlighted in Nature Asia-Pacific Materials
http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=859 )
3. Growth and performance of yttrium oxide as an ideal high-k gate dielectric for carbon based electronics, by Z.X. Wang, H.L. Xu, Z.Y. Zhang,S. Wang, L. Ding, Q.S. Zeng, L.J. Yang, T. Pei, X.L. Liang, M. Gao and L.-M.Peng, Nano Letters 10 (2010) 2024
4. Large signal operation of small band-gap carbon nanotube based ambipolar transistor: a high-performance frequency doubler, by Z.X. Wang, L.Ding, T. Pei, Z.Y. Zhang, S. Wang, T. Yu, X.F. Ye, F. Peng, Y. Li and L.-M.Peng, Nano Letters 10 (2010) 3648
5. Deriving carbon atomic chains from graphene, by C.H. Jin, H.P. Lan,L.-M. Peng, K. Suenaga and S. Iijima, Phys. Rev. Lett. 102 (2009) 205501(Selected as the Editor’s Suggestions, and highlighted as a Viewpoint in Physics, see accompanying Viewpoint commentary Physics 2,42 (2009) http://physics.aps.org/articles/v2/42，highlighted in Chemical & Engineering News: http://pubs.acs.org/cen/news/87/i22/8722notw7.html, highlighted in Nature Asia-PacificMaterials:http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=516)
6. Self-aligned ballistic n-type single walled carbon nanotube field-effect transistors with adjustable threshold voltage, by Z.Y. Zhang, S. Wang, L. Ding, X.L. Liang, T. Pei, J. Shen, H.L. Xu, Q. Chen, R.L. Cui,Y. Li, and L.-M. Peng, Nano Letters 8(11) (2008) 3696 (highlighted in Nature Asia-Pacific Materials:http://natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=366 )
7. CdS quantum dots sensitized TiO2 nanotube-array photoelectrodes，by W.T. Sun, Y. Yu, H.-Y. Pan, X.-F. Gao and L.-M. eng, J. Am. Chem. Soc. 130(2008) 1124-1125
8. Doping-free fabrication of carbon nanotube based ballistic CMOS devices and circuits, Z.Y. Zhang, X.L. Liang, S. Wang, K. Yao, Y.F. Hu, Y.Z.Zhu, Q. Chen, W.W. Zhou, Y. Li, Y.G. Yao, J. Zhang, and L.-M. Peng, Nano Letters 7(12) (2007) 3603 (highlighted in: SPIE newsroom: http://spie.org/x20204.xml?highlight=x2400 )
9. Formation mechanism of H2Ti3O7 nanotubes, by S. Zhang, L.-M. Peng, Q. Chen, G.H. Du, G. Dawson and W.Z. Zhou, Phys. Rev. Lett. 91(25) (2003)256103-1:4
10. Stability of Carbon Nanotubes - how small can they be? , by L.-M.Peng, Z.L. Zhang, Z.Q. Xue, Q.D. Wu, Z.N. Gu and D.G. Pettifor, Physical Review Letters, Oct 9, 2000, Vol. 85, Issue 15 (2000) pp. 3249-3252 |
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