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MMIC器件中的辐射效应 中文译文 摘录 20090404_1

 

随着商业电子元件在空间的广泛使用,经常会出现这样一种情况,即航天器结构提供的屏蔽达不到要求并且也没有可供替换的耐辐射元件。在这种情况下,元件的现场屏蔽是恰当的,包括将屏蔽材料(像钽或钨这样的高Z元素)集成到元件封装本身中,这种工艺常常称为“RadPak”。正如上面提到的那样,已经较好建立了用来确定某种材料对各种类型的辐射的通量和能量谱影响的屏蔽计算方法,这一事实有助于实现用于减少期望的总剂量的上述各种屏蔽机制。这些计算也考虑了次级辐射的产生。

尽管屏蔽可以在许多场合下便于使用元件,认识到屏蔽并非总是有效并且甚至会使情况变得更糟是很重要的。根据经验,屏蔽对于减少电离辐射的低到中等能量的成份最有效,也就是电子和质子。对于能量很高的辐射,如伽马射线和GCR离子,屏蔽并不是特别有效,甚至还会起到反作用。造成这种情况的部分原因是在屏蔽材料中产生了次级辐射,并且还由于电子元件中每单位长度的能量损耗随着粒子能量的减少而增加。次级辐射的产生导致屏蔽效应的不对称行为。换句话说,第一个薄的屏蔽层在减少辐射上要比附加的厚屏蔽有效的多,如图10-6所示。因此,除了几十密耳的铝当量屏蔽外,重量上的付出的代价往往要超过辐射屏蔽带来的额外收益。

屏蔽在减少注入到航天器电子元件上总辐射量的效果在自然空间环境和核武器增强的环境之间会产生明显的差别[1]。正如前面提到的那样,核武器爆炸导致瞬时的突发的高能量伽马射线,并且稍后一点时间会出现很大的14Mev中子注量。屏蔽在遏制这些辐射威胁面前显得无能为力。类似的,难以屏蔽作为发电过程副产品的RTG连续放射的中子和高能量伽马射线。正是由于这种原因,卡西尼(Cassini)上的RTG已证明是一种针对航天器上的微电子元件的难以处理的辐射威胁。

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